K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG085WM-BCWE مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG165WM-BCWE بواسطة Samsung Electronics و K4AAG085WM-BCWE بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG165WM-BCWE | K4AAG085WM-BCWE |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 (1G x 16) | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| الواجهة | Parallel (DDR4) | DDR4 (JEDEC-standard) |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Burst Length | 8 | — |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] | 0C to +85C |
| Die Revision | W (WM suffix) | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Operating Frequency | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) | — |
| جهد التغذية | — | 1.2 V |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |
| Speed Grade Suffix | — | -BCWE |
| Application Class | — | Memory IC / Storage Component |
| Power Reduction vs DDR3 | — | Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |