K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG085WM-BCWE So sánh

So sánh chi tiết song song của K4AAG165WM-BCWE bằng Samsung Electronics và K4AAG085WM-BCWE bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCWE K4AAG165WM-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | Samsung

K4AAG165WM-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | Samsung

K4AAG165WM-BCWE ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4AAG085WM-BCWE K4AAG085WM-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps 78FBGA | Samsung

K4AAG085WM-BCWE - 16Gb DDR4 3200Mbps 78FBGA | Samsung

K4AAG085WM-BCWE ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4AAG165WM-BCWE K4AAG085WM-BCWE
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục DRAM DRAM
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gb
Tổ chức 256M x 16 (1G x 16) 2G x 8
Tốc độ dữ liệu 3200 Mbps 3200 Mbps (DDR4-3200)
Giao diện Parallel (DDR4) DDR4 (JEDEC-standard)
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Access Time (Clock Cycle Time) [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] —
Bank Groups 4 (x16 configuration) —
Burst Length 8 —
Hộp 78-ball FBGA 78FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] 0C to +85C
Die Revision W (WM suffix) —
Trạng thái RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Operating Frequency 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) —
Điện áp cung cấp — 1.2 V
Bank Group Architecture — Yes (DDR4)
Speed Grade Suffix — -BCWE
Application Class — Memory IC / Storage Component
Power Reduction vs DDR3 — Approx. 25% lower (per Samsung DDR4 literature)
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá