K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCTD مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4AAG165WM-BCWE بواسطة Samsung Electronics و K4AAG165WM-BCTD بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4AAG165WM-BCWE | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | DRAM | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 (1G x 16) | 1G x 16 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | — |
| الواجهة | Parallel (DDR4) | SSTL-12 |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Burst Length | 8 | — |
| العلبة | 78-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] | 0C to +85C |
| Die Revision | W (WM suffix) | — |
| حالة RoHS | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Operating Frequency | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) | — |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| جهد التغذية | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |