K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCTD তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4AAG165WM-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4AAG165WM-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4AAG165WM-BCWE | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | DRAM | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| সংগঠন | 256M x 16 (1G x 16) | 1G x 16 |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | — |
| ইন্টারফেস | Parallel (DDR4) | SSTL-12 |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] | — |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Burst Length | 8 | — |
| প্যাকেজ | 78-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] | 0C to +85C |
| Die Revision | W (WM suffix) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Operating Frequency | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) | — |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |