K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCTD So sánh
So sánh chi tiết song song của K4AAG165WM-BCWE bằng Samsung Electronics và K4AAG165WM-BCTD bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | Samsung
K4AAG165WM-BCWE ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4AAG165WM-BCTD - 16Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCTD ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K4AAG165WM-BCWE | K4AAG165WM-BCTD |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | 16 Gb |
| Tổ chức | 256M x 16 (1G x 16) | 1G x 16 |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps | — |
| Giao diện | Parallel (DDR4) | SSTL-12 |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] | — |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Hộp | 78-ball FBGA | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount (BGA solder reflow) |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] | 0C to +85C |
| Die Revision | W (WM suffix) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | RoHS (per LCSC listing) |
| Operating Frequency | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) | — |
| Speed | — | 2666 Mbps |
| Điện áp cung cấp | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |