K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646D-BYK0 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BYMA0 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646D-BYK0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| معدل البيانات | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to 85°C |
| زمن الوصول CAS | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |