K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646D-BYK0 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646D-BYMA0 מאת Samsung Electronics ו K4B4G1646D-BYK0 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| מתח אספקה | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| קצב נתונים | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| טווח טמפרטורת פעולה | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to 85°C |
| השהיית CAS | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| מספר פינים | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |