K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646D-BYK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4B4G1646D-BYMA0 بذریعہ Samsung Electronics اور K4B4G1646D-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ہیلوجن فری | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to 85°C |
| CAS لیٹنسی | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |