K4B4G1646D-BYMA0 vs K4B4G1646D-BYK0 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646D-BYMA0 tarafından Samsung Electronics ve K4B4G1646D-BYK0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYMA0 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYMA0 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646D-BYMA0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Memory Size | 4 Gb | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| Veri Hızı | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| Paket | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | 0°C to +85°C | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Supported | — |
| Asynchronous Reset | Supported | — |
| ZQ Calibration | Supported | — |
| Data Mask | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0°C to 85°C |
| CAS Gecikme | — | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |