K4B4G1646Q vs IS43TR16256AL-125KBL مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646Q بواسطة Samsung Electronics و IS43TR16256AL-125KBL بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646Q | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| التنظيم | 256M x 16 | — |
| عرض ناقل البيانات | 16 bits | — |
| جهد التغذية | 1.35V | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| معدل البيانات | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps |
| العلبة | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| زمن الوصول CAS | Programmable | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C ~ 95°C |
| حجم الذاكرة | — | 4Gbit (256M x 16) |
| الواجهة | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Number of Terminals | — | 96 |