K4B4G1646Q vs IS43TR16256AL-125KBL مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646Q توسط Samsung Electronics و IS43TR16256AL-125KBL توسط ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | K4B4G1646Q | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| برند | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| سازمان | 256M x 16 | — |
| عرض گذرگاه داده | 16 bits | — |
| ولتاژ تغذیه | 1.35V | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| نرخ داده | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps |
| بسته‌بندی | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| بدون هالوژن | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| تأخیر CAS | Programmable | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C ~ 95°C |
| اندازه حافظه | — | 4Gbit (256M x 16) |
| رابط | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| نوع نصب | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Number of Terminals | — | 96 |