K4B4G1646Q vs IS43TR16256AL-125KBL השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של K4B4G1646Q מאת Samsung Electronics ו IS43TR16256AL-125KBL מאת ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | K4B4G1646Q | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| מותג | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | — |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bits | — |
| מתח אספקה | 1.35V | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| קצב נתונים | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps |
| מארז | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| נטול הלוגנים | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| השהיית CAS | Programmable | — |
| טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C ~ 95°C |
| גודל זיכרון | — | 4Gbit (256M x 16) |
| ממשק | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Number of Terminals | — | 96 |