K4B4G1646Q vs IS43TR16256AL-125KBL तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4B4G1646Q द्वारा Samsung Electronics और IS43TR16256AL-125KBL द्वारा ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4B4G1646Q | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bits | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35V | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CAS लेटेंसी | Programmable | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C ~ 95°C |
| मेमोरी आकार | — | 4Gbit (256M x 16) |
| इंटरफ़ेस | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Number of Terminals | — | 96 |