K4B4G1646Q vs IS43TR16256AL-125KBL Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646Q tarafından Samsung Electronics ve IS43TR16256AL-125KBL tarafından ISSI, Integrated Silicon Solution IncAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646Q | IS43TR16256AL-125KBL |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | — |
| Veri Bus Genişliği | 16 bits | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35V | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Veri Hızı | 1866 Mbps (PC3-14900) | 1600 Mbps |
| Paket | 96-ball FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CAS Gecikme | Programmable | — |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | 0°C ~ 95°C |
| Bellek Boyutu | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Arayüz | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | SDRAM - DDR3L |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Number of Terminals | — | 96 |