K4RHE086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BIQK مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RHE086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RAH086VB-BIQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4RHE086VB-BCWM | K4RAH086VB-BIQK |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 24 Gb | 16 Gb |
| التنظيم | 2G x 8 | 2G x 8 |
| معدل البيانات | 5600 Mbps | 4800 Mbps/pin |
| جهد التغذية | 1.1 V | — |
| العلبة | 82 FBGA | 82FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| الواجهة | DDR5 (JEDEC) | DDR5 (CA reduced pin count) |
| Configuration | x8 | X8 |
| Application Segment | Server / Data Center / Premium PC | — |
| Manufacturer | Samsung Semiconductor | — |
| حالة RoHS | unknown | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA) |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| On-Die ECC | [DATA_NEEDED: on-die ECC support] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package height] | — |
| Core Supply Voltage | — | 1.1 V (nominal) |
| Speed Grade | — | BIQK (-BIQK bin) |
| ECC | — | On-die ECC (DDR5 standard) |
| Burst Length | — | 16 / 32 |
| Operating Mode | — | DLL enabled |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |