K4RHE086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BIQK Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4RHE086VB-BCWM tarafından Samsung Electronics ve K4RAH086VB-BIQK tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BIQK K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK - DDR5 16Gb 4800Mbps SDRAM | Samsung

K4RAH086VB-BIQK ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre K4RHE086VB-BCWM K4RAH086VB-BIQK
Marka Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb 16 Gb
Organizasyon 2G x 8 2G x 8
Veri Hızı 5600 Mbps 4800 Mbps/pin
Besleme Gerilimi 1.1 V —
Paket 82 FBGA 82FBGA
Montaj Türü Surface Mount —
Arayüz DDR5 (JEDEC) DDR5 (CA reduced pin count)
Configuration x8 X8
Application Segment Server / Data Center / Premium PC —
Manufacturer Samsung Semiconductor —
RoHS Durumu unknown Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Samsung 82FBGA)
İşletim Sıcaklığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
On-Die ECC [DATA_NEEDED: on-die ECC support] —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
Core Supply Voltage — 1.1 V (nominal)
Speed Grade — BIQK (-BIQK bin)
ECC — On-die ECC (DDR5 standard)
Burst Length — 16 / 32
Operating Mode — DLL enabled
CAS Gecikme — [DATA_NEEDED: CAS latency (CL)]
Refresh — [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin