K9HCG08U1M vs K9XXG08UXM مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K9HCG08U1M بواسطة Samsung Electronics و K9XXG08UXM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K9HCG08U1M | K9XXG08UXM |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | Obsolete |
| Memory Technology | MLC NAND Flash | — |
| Total Capacity | 64 Gbit | — |
| التنظيم | 8G x 8 | — |
| عرض ناقل البيانات | 8 bit | — |
| نوع الواجهة | Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command) | — |
| جهد التغذية | [DATA_NEEDED: supply voltage] | 2.7 V to 3.6 V |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | (2K + 64) Byte |
| Block Size | [DATA_NEEDED: block size] | (256K + 8K) Byte |
| Read Time (tR) | [DATA_NEEDED: read time] | — |
| Program Time (tPROG) | [DATA_NEEDED: program time] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| العلبة | TSOP-48 (PDSO48) | 48-pin TSOP |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +105C (TA) | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Ready/Busy Output | Yes (R/B#) | — |
| Die Technology | Samsung E-die (per datasheet family) | — |
| Full Ordering Code | K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00 | — |
| حجم الذاكرة | — | 2G x 8 Bit (2Gb) |
| Memory Cell Array Organization | — | (1G + 32M) bit x 8 bit |
| Data Register | — | (2K + 64) bit x 8 bit |
| Program Operation | — | Automatic Page Program, (2K + 64) Byte |
| Erase Operation | — | Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte |
| I/O Interface | — | 8-bit multiplexed address/data/command |
| Control Signals | — | CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B |
| Cell Type | — | SLC (single-level cell) NAND |
| Access Time (tR) | — | [DATA_NEEDED: Access Time] |
| حالة RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |