M29F160FT55N3E2 vs M29F160FB55N3E2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F160FT55N3E2 بواسطة Micron Technology و M29F160FB55N3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48
M29F160FT55N3E2 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | M29F160FT55N3E2 | M29F160FB55N3E2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash | NOR Flash - Parallel, Asynchronous |
| Memory Organization | 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) | — |
| Density | 16777 kbits | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Number of Words | 1000 k | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| جهد التغذية | 5 V | — |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Boot Block | Top Boot Block | Bottom Boot Block (FB) |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40 C to +125 C |
| Temperature Grade | Automotive Grade 3 | — |
| العلبة | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Bus Width | 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) | — |
| Program/Erase | Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) | — |
| Factory Erase State | All bits erased to 1 | — |
| حالة RoHS | Compliant (E suffix) | ROHS3 Compliant |
| التنظيم | — | 1 M x 16 / 2 M x 8 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Programming Algorithm | — | Embedded byte/word program and erase controller |
| Packaging | — | Tray |
| Lead Free Status | — | Lead Free |