M29F160FT55N3E2 vs M29F160FB55N3E2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F160FT55N3E2 द्वारा Micron Technology और M29F160FB55N3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48
M29F160FT55N3E2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F160FT55N3E2 | M29F160FB55N3E2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | NOR Flash | NOR Flash - Parallel, Asynchronous |
| Memory Organization | 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) | — |
| Density | 16777 kbits | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Number of Words | 1000 k | 1000 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | 5 V | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| Boot Block | Top Boot Block | Bottom Boot Block (FB) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40 C to +125 C |
| Temperature Grade | Automotive Grade 3 | — |
| पैकेज | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Bus Width | 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) | — |
| Program/Erase | Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) | — |
| Factory Erase State | All bits erased to 1 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (E suffix) | ROHS3 Compliant |
| संगठन | — | 1 M x 16 / 2 M x 8 |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Programming Algorithm | — | Embedded byte/word program and erase controller |
| Packaging | — | Tray |
| Lead Free Status | — | Lead Free |