M29F160FT55N3E2 vs M29F160FT55N3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F160FT55N3E2 بواسطة Micron Technology و M29F160FT55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Flash
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Memory Organization 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) —
Density 16777 kbits 16 Mbit (16777 kbits)
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
جهد التغذية 5 V —
الواجهة Parallel Parallel
Boot Block Top Boot Block —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive Grade 3 —
العلبة 48-TSOP I 48-Pin TSOP
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Bus Width 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) —
Program/Erase Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) —
Factory Erase State All bits erased to 1 —
حالة RoHS Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
التنظيم — 1M x 16 / 2M x 8
Supply Voltage (VCC) — 5 V (operating 4.5 V)
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Packaging — Tape & Reel
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر