M29F160FT55N3E2 vs M29F160FT55N3F2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F160FT55N3E2 द्वारा Micron Technology और M29F160FT55N3F2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ सक्रिय
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M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3F2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Flash
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Memory Organization 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) —
Density 16777 kbits 16 Mbit (16777 kbits)
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
सप्लाई वोल्टेज 5 V —
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Boot Block Top Boot Block —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive Grade 3 —
पैकेज 48-TSOP I 48-Pin TSOP
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Bus Width 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) —
Program/Erase Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) —
Factory Erase State All bits erased to 1 —
RoHS स्थिति Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
संगठन — 1M x 16 / 2M x 8
Supply Voltage (VCC) — 5 V (operating 4.5 V)
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Packaging — Tape & Reel
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

डेटाशीट और संसाधन

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