M29F160FT55N3E2 vs M29F160FT55N3F2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F160FT55N3E2 tarafından Micron Technology ve M29F160FT55N3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ Aktif
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3F2
Marka Micron Technology Micron Technology
Kategori Memory ICs Flash
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü NOR Flash NOR Flash (Parallel, Asynchronous)
Memory Organization 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) —
Density 16777 kbits 16 Mbit (16777 kbits)
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Besleme Gerilimi 5 V —
Arayüz Parallel Parallel
Boot Block Top Boot Block —
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive Grade 3 —
Paket 48-TSOP I 48-Pin TSOP
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Bus Width 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) —
Program/Erase Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) —
Factory Erase State All bits erased to 1 —
RoHS Durumu Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Organizasyon — 1M x 16 / 2M x 8
Supply Voltage (VCC) — 5 V (operating 4.5 V)
Synchronous / Asynchronous — Asynchronous
Boot Block Location — Top boot block (FT)
Packaging — Tape & Reel
Program / Erase — Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin