M29F160FT55N3F2 vs M29F160FB55N3E2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F160FT55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F160FB55N3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F160FT55N3F2 M29F160FB55N3E2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Flash Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash - Parallel, Asynchronous
Density 16 Mbit (16777 kbits) 16777 kbits (16 Mbit)
التنظيم 1M x 16 / 2M x 8 1 M x 16 / 2 M x 8
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) 5 V
الواجهة Parallel Parallel
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40 C to +125 C
العلبة 48-Pin TSOP 48-TSOP I
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tray
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] ROHS3 Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Boot Block — Bottom Boot Block (FB)
Programming Algorithm — Embedded byte/word program and erase controller
Lead Free Status — Lead Free

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر