M29F160FT55N3F2 vs M29F160FB55N3E2 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F160FT55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29F160FB55N3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ सक्रिय
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M29F160FB55N3E2 M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F160FB55N3E2 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29F160FT55N3F2 M29F160FB55N3E2
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Flash Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash - Parallel, Asynchronous
Density 16 Mbit (16777 kbits) 16777 kbits (16 Mbit)
संगठन 1M x 16 / 2M x 8 1 M x 16 / 2 M x 8
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) 5 V
इंटरफ़ेस Parallel Parallel
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40 C to +125 C
पैकेज 48-Pin TSOP 48-TSOP I
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel Tray
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
RoHS स्थिति [DATA_NEEDED: RoHS status] ROHS3 Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Boot Block — Bottom Boot Block (FB)
Programming Algorithm — Embedded byte/word program and erase controller
Lead Free Status — Lead Free

डेटाशीट और संसाधन

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