MC33289DWR2 vs BTS621L1E3128ABUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MC33289DWR2 بواسطة NXP Semiconductors و BTS621L1E3128ABUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MC33289DWR2 MC33289DWR2 - Dual High-Side Switch 40mOhm 27V | NXP SOIC-20

MC33289DWR2 - Dual High-Side Switch 40mOhm 27V | NXP SOIC-20

MC33289DWR2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MC33289DWR2 BTS621L1E3128ABUMA1
العلامة التجارية NXP Semiconductors Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Dual High-Side Switch (DHSS) Dual-channel smart high-side power switch (PROFET)
البنية الطوبولوجية 2 x High-Side N-MOSFET switches —
On-State Resistance (RDSon) 40 mOhm (per channel) —
Supply Voltage Range (VCC) 6 V to 27 V —
Maximum Transient Voltage 40 V (load dump tolerant) —
Output Current per Channel [DATA_NEEDED: continuous current rating per channel] —
عدد المخارج 2 —
Input Compatibility TTL/CMOS compatible logic inputs —
Fault Protection Current limit, thermal shutdown, open-load detect —
Status Feedback Yes (fault flag output) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C (automotive grade) —
العلبة 20-SOIC (0.295 inch, 7.50 mm width) PG-TO263-7-2 (D2PAK-7, exposed tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Automotive Grade Yes (AEC-Q100 qualified) —
Charge Pump Integrated (gate drive) —
Number of Channels — 2 (dual high-side, 1:1)
FET Topology — N-Channel vertical power MOSFET with charge pump
On-State Resistance Rds(on) — 8 mΩ typical per channel
Nominal Operating Voltage — 12 V (automotive bus)
Maximum Supply Voltage — 24 V (load-dump survivable)
Continuous Load Current — 4.4 A per channel
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +150 °C junction
Input Logic Compatibility — CMOS-compatible, ground-referenced
Diagnostic Feedback — Yes - open-load and overtemperature reporting
Embedded Protection — Overload, current limit, short-circuit, thermal shutdown, overvoltage (load dump), fast demagnetization, reverse battery
Technology — Smart SIPMOS (monolithic)
RoHS / Lead-Free — Compliant (Pb-free)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر