MMBT3904LT1 vs MMBT3904 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MMBT3904LT1 بواسطة onsemi و MMBT3904 بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل MMBT3904LT1 MMBT3904
العلامة التجارية onsemi onsemi
الفئة Transistors Transistors
حالة دورة الحياة نشط نشط
Polarity NPN —
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 40 V 40 V
جهد المجمّع-القاعدة (Vcbo) 60 V 60 V
جهد الباعث-القاعدة (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 200 mW (on minimum recommended pad) 200 mW to 350 mW (board-dependent)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 100 to 300 (at IC=10 mA, VCE=1.0 V)
تردد الانتقال (ft) 300 MHz (min) 300 MHz (typ, at VCE=20 V, IC=10 mA)
جهد التشبع للمجمّع-الباعث (Vce(sat)) [DATA_NEEDED: exact VCE(sat) value at rated IC] —
Noise Figure 5 dB (max) 5 dB (max)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +150 °C —
العلبة SOT-23 (TO-236), 3-pin SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Die Construction Epitaxial Planar —
Complementary PNP Part MMBT3906 MMBT3906
حالة RoHS Compliant (Lead Free version available) —
AEC-Q101 Qualified Yes (S-prefix variant) —
نوع الترانزستور — NPN
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (fully RoHS compliant per datasheet)
Automotive Grade (AEC-Q101) — Qualified by selected suppliers

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر