MRFE6S9135HR3 vs MRFE6S9135HSR3 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRFE6S9135HR3 بواسطة NXP Semiconductors و MRFE6S9135HSR3 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HR3 - 135W 900MHz RF Power LDMOS | NXP | NI-880H-2L

MRFE6S9135HR3 - 135W 900MHz RF Power LDMOS | NXP | NI-880H-2L

MRFE6S9135HR3 ✓ نشط
NXP Semiconductors
MRFE6S9135HSR3 MRFE6S9135HSR3 - 940MHz 39W RF Power LDMOS MOSFET | NXP

MRFE6S9135HSR3 - 940MHz 39W RF Power LDMOS MOSFET | NXP

MRFE6S9135HSR3 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) LDMOS (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
Technology RF Power LDMOS —
Drain-Source Voltage (Rated) 66 V —
Typical Operating Voltage 28 V —
Output Power (Pout) 39 W (at 940 MHz, two-tone test) 39 W average (single W-CDMA, 940 MHz)
Power Gain (Gps) 21 dB (typical at 940 MHz) 21 dB
Drain Efficiency 63.3 % (typical at test conditions) [DATA_NEEDED: drain efficiency at 39 W W-CDMA]
Test Current 1 A 1 A
Operating Frequency Range Up to 1000 MHz (broadband, 1 MHz to 1000 MHz typical) —
Test Frequency 940 MHz —
Package Type NI-880H-2L (ceramic flange) —
نوع التركيب Screw-mount / bolt-down flange Through-hole / chassis-mount with flange bolt-down
ESD Protection (HBM) Class II (per JESD22-A114) —
ESD Protection (MM) Class A (per EIA/JESD22-A115) —
ESD Protection (CDM) Class IV (per JESD22-C101) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant per NXP product page
Lead Status Lead-containing (per digchip listing) —
Designed For Broadband commercial and industrial applications up to 1000 MHz —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Status — Active
Frequency — 940 MHz (designed up to 1000 MHz)
Test Voltage — 28 V
Drain-Source Voltage Rating — 66 V
Drain Current Rating — 10 µA (leakage spec from cross-reference)
العلبة / الحالة — NI-880S (CASE 465B-03, STYLE 1), ceramic, straight leads
Input / Output Impedance — [DATA_NEEDED: input/output impedance at 940 MHz test condition]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40 C to +150 C (typical LDMOS rating; [DATA_NEEDED: exact datasheet Tj max])
Lead Free Status — Lead Free
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet]
Packaging — Tape & Reel (suffix R3, 250-unit per reel)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر