MRFE6S9135HR3 vs MRFE6S9135HSR3 So sánh

So sánh chi tiết song song của MRFE6S9135HR3 bằng NXP Semiconductors và MRFE6S9135HSR3 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

NXP Semiconductors
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HR3 - 135W 900MHz RF Power LDMOS | NXP | NI-880H-2L

MRFE6S9135HR3 - 135W 900MHz RF Power LDMOS | NXP | NI-880H-2L

MRFE6S9135HR3 ✓ Hoạt động
NXP Semiconductors
MRFE6S9135HSR3 MRFE6S9135HSR3 - 940MHz 39W RF Power LDMOS MOSFET | NXP

MRFE6S9135HSR3 - 940MHz 39W RF Power LDMOS MOSFET | NXP

MRFE6S9135HSR3 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
Thương hiệu NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) LDMOS (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
Technology RF Power LDMOS —
Drain-Source Voltage (Rated) 66 V —
Typical Operating Voltage 28 V —
Output Power (Pout) 39 W (at 940 MHz, two-tone test) 39 W average (single W-CDMA, 940 MHz)
Power Gain (Gps) 21 dB (typical at 940 MHz) 21 dB
Drain Efficiency 63.3 % (typical at test conditions) [DATA_NEEDED: drain efficiency at 39 W W-CDMA]
Test Current 1 A 1 A
Operating Frequency Range Up to 1000 MHz (broadband, 1 MHz to 1000 MHz typical) —
Test Frequency 940 MHz —
Package Type NI-880H-2L (ceramic flange) —
Kiểu lắp đặt Screw-mount / bolt-down flange Through-hole / chassis-mount with flange bolt-down
ESD Protection (HBM) Class II (per JESD22-A114) —
ESD Protection (MM) Class A (per EIA/JESD22-A115) —
ESD Protection (CDM) Class IV (per JESD22-C101) —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant per NXP product page
Lead Status Lead-containing (per digchip listing) —
Designed For Broadband commercial and industrial applications up to 1000 MHz —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Status — Active
Frequency — 940 MHz (designed up to 1000 MHz)
Test Voltage — 28 V
Drain-Source Voltage Rating — 66 V
Drain Current Rating — 10 µA (leakage spec from cross-reference)
Hộp / Vỏ — NI-880S (CASE 465B-03, STYLE 1), ceramic, straight leads
Input / Output Impedance — [DATA_NEEDED: input/output impedance at 940 MHz test condition]
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -40 C to +150 C (typical LDMOS rating; [DATA_NEEDED: exact datasheet Tj max])
Lead Free Status — Lead Free
Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet]
Packaging — Tape & Reel (suffix R3, 250-unit per reel)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá