MRFE6S9135HR3 vs MRFE6S9135HSR3 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRFE6S9135HR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRFE6S9135HSR3 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HR3 - 135W 900MHz RF Power LDMOS | NXP | NI-880H-2L

MRFE6S9135HR3 - 135W 900MHz RF Power LDMOS | NXP | NI-880H-2L

MRFE6S9135HR3 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRFE6S9135HSR3 MRFE6S9135HSR3 - 940MHz 39W RF Power LDMOS MOSFET | NXP

MRFE6S9135HSR3 - 940MHz 39W RF Power LDMOS MOSFET | NXP

MRFE6S9135HSR3 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET (LDMOS) LDMOS (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
Technology RF Power LDMOS —
Drain-Source Voltage (Rated) 66 V —
Typical Operating Voltage 28 V —
Output Power (Pout) 39 W (at 940 MHz, two-tone test) 39 W average (single W-CDMA, 940 MHz)
Power Gain (Gps) 21 dB (typical at 940 MHz) 21 dB
Drain Efficiency 63.3 % (typical at test conditions) [DATA_NEEDED: drain efficiency at 39 W W-CDMA]
Test Current 1 A 1 A
Operating Frequency Range Up to 1000 MHz (broadband, 1 MHz to 1000 MHz typical) —
Test Frequency 940 MHz —
Package Type NI-880H-2L (ceramic flange) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Screw-mount / bolt-down flange Through-hole / chassis-mount with flange bolt-down
ESD Protection (HBM) Class II (per JESD22-A114) —
ESD Protection (MM) Class A (per EIA/JESD22-A115) —
ESD Protection (CDM) Class IV (per JESD22-C101) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant per NXP product page
Lead Status Lead-containing (per digchip listing) —
Designed For Broadband commercial and industrial applications up to 1000 MHz —
Manufacturer — NXP Semiconductors (formerly Freescale)
Part Status — Active
Frequency — 940 MHz (designed up to 1000 MHz)
Test Voltage — 28 V
Drain-Source Voltage Rating — 66 V
Drain Current Rating — 10 µA (leakage spec from cross-reference)
پیکیج / کیس — NI-880S (CASE 465B-03, STYLE 1), ceramic, straight leads
Input / Output Impedance — [DATA_NEEDED: input/output impedance at 940 MHz test condition]
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -40 C to +150 C (typical LDMOS rating; [DATA_NEEDED: exact datasheet Tj max])
Lead Free Status — Lead Free
نمی حساسیت کی سطح (MSL) — [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet]
Packaging — Tape & Reel (suffix R3, 250-unit per reel)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں