MRFG35003NR5 vs MRFG35010NR5 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRFG35003NR5 بواسطة NXP Semiconductors و MRFG35010NR5 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRFG35003NR5 MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 - 3W 3.55GHz pHEMT RF Power FET | NXP

MRFG35003NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل MRFG35003NR5 MRFG35010NR5
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة Obsolete Obsolete
نوع الترانزستور pHEMT FET pHEMT FET
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Frequency 3.55 GHz (test) 3.55 GHz
Frequency Range Up to 3.6 GHz —
Drain-Source Rated Voltage 15 V —
Continuous Drain Current 1.3 A —
Test Drain Voltage 12 V —
Test Drain Current 55 mA —
Power Gain (typ) 11.5 dB @ 3.55 GHz —
Output Power 3 W —
العلبة / الحالة PLD-1.5 (ceramic flange, bolt-down) PLD-1.5
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
نوع التركيب Chassis / flange mount with screws Surface Mount
Configuration Single, unmatched die Single, unmatched
Operating Class Class AB linear —
Lead Free Status Lead-free (per NXP product page) [DATA_NEEDED: lead free status]
Packaging Tape & Reel (R5 suffix) —
Operating Frequency Range — Up to 3.6 GHz
Gain — 10 dB (typical at 3.55 GHz)
Output Power (CW) — 9 W
Voltage - Rated — 15 V
Voltage - Test — 12 V
Current - Test — 180 mA
Current Rating — 2.9 A
Application — WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages
حالة RoHS — [DATA_NEEDED: rohs status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر