MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16HA-125:E بواسطة Micron Technology و K4B4G1646D-BCK00 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| زمن الوصول CAS | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| العلبة | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| عدد الدبابيس | 96 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (TC) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| عرض ناقل البيانات | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| معدل البيانات | — | 1600 Mbps/pin |
| جهد التغذية | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |