MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16HA-125:E بذریعہ Micron Technology اور K4B4G1646D-BCK00 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS لیٹنسی | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| پیکیج | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| پنز کی تعداد | 96 | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| ڈیٹا ریٹ | — | 1600 Mbps/pin |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| ہیلوجن فری | — | Yes |