MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT41K256M16HA-125:E tarafından Micron Technology ve K4B4G1646D-BCK00 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ AktifSamsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS Gecikme | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Paket | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Pin Sayısı | 96 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Veri Bus Genişliği | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Veri Hızı | — | 1600 Mbps/pin |
| Besleme Gerilimi | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| İşletim Sıcaklığı | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| Klorürsüz | — | Yes |