MT41K256M16LY-107:N vs K4B4G1646E-BYK0 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16LY-107:N بواسطة Micron Technology و K4B4G1646E-BYK0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT41K256M16LY-107:N | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| عرض ناقل البيانات | 16 bit | — |
| أقصى تردد للساعة | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| العلبة / الحالة | 96-FBGA (7.5x13.5) | — |
| نمط التركيب | Surface Mount | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR3L | — |
| Supply Voltage - Min | 1.283 V | — |
| Supply Voltage - Max | 1.45 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| معدل البيانات | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| العلبة | — | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C (TC) |
| زمن الوصول CAS | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |