MT41K256M16LY-107:N vs K4B4G1646E-BYK0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16LY-107:N بذریعہ Micron Technology اور K4B4G1646E-BYK0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16LY-107:N ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT41K256M16LY-107:N | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 16 bit | — |
| زیادہ سے زیادہ کلاک فریکوئنسی | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| پیکیج / کیس | 96-FBGA (7.5x13.5) | — |
| ماؤنٹنگ اسٹائل | Surface Mount | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR3L | — |
| Supply Voltage - Min | 1.283 V | — |
| Supply Voltage - Max | 1.45 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ڈیٹا ریٹ | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| پیکیج | — | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | 0°C to +95°C (TC) |
| CAS لیٹنسی | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |