MT41K256M16LY-107:N vs K4B4G1646E-BYK0 比較
詳細並排比較 MT41K256M16LY-107:N 由 Micron Technology 與 K4B4G1646E-BYK0 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | MT41K256M16LY-107:N | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| 品牌 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| 記憶體容量 | 4 Gbit | — |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 資料匯流排寬度 | 16 bit | — |
| 最大時脈頻率 | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 供應電壓 | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| 封裝 / 外殼 | 96-FBGA (7.5x13.5) | — |
| 安裝方式 | Surface Mount | — |
| 工作溫度範圍 | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR3L | — |
| Supply Voltage - Min | 1.283 V | — |
| Supply Voltage - Max | 1.45 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| 資料速率 | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| 封裝 | — | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 工作溫度 | — | 0°C to +95°C (TC) |
| CAS 延遲 | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |