MT41K256M16LY-107:N vs K4B4G1646E-BYK0 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना MT41K256M16LY-107:N द्वारा Micron Technology और K4B4G1646E-BYK0 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16LY-107:N ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | MT41K256M16LY-107:N | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा बस चौड़ाई | 16 bit | — |
| अधिकतम क्लॉक फ़्रीक्वेंसी | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| पैकेज / केस | 96-FBGA (7.5x13.5) | — |
| माउंटिंग स्टाइल | Surface Mount | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR3L | — |
| Supply Voltage - Min | 1.283 V | — |
| Supply Voltage - Max | 1.45 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| डेटा दर | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| पैकेज | — | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C (TC) |
| CAS लेटेंसी | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |