MT41K256M16LY-107:N vs K4B4G1646E-BYK0 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng MT41K256M16LY-107:N sa pamamagitan ng Micron Technology at K4B4G1646E-BYK0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16LY-107:N ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | MT41K256M16LY-107:N | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Brand | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Uri ng Memory | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4 Gbit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Width ng Data Bus | 16 bit | — |
| Maksimum na Taktiko ng Oras | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| Packhaging / Kaso | 96-FBGA (7.5x13.5) | — |
| Style ng Pagpapasok | Surface Mount | — |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR3L | — |
| Supply Voltage - Min | 1.283 V | — |
| Supply Voltage - Max | 1.45 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Rate ng Data | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Packhaging | — | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Latensya ng CAS | — | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| Burst Length | — | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |