MT41K256M16TW-107:P vs NT5CC256M16ER-FLNA مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16TW-107:P بواسطة Micron Technology و NT5CC256M16ER-FLNA بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ نشط
Nanya Technology
NT5CC256M16ER-FLNA NT5CC256M16ER-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-FLNA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-FLNA ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT41K256M16TW-107:P NT5CC256M16ER-FLNA
العلامة التجارية Micron Technology Nanya Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
حجم الذاكرة 4Gbit (256M x 16) —
Clock Frequency 933 MHz —
معدل البيانات 1866 MT/s 1866 Mbps (max)
جهد التغذية 1.35V 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
I/O Voltage 1.35V 1.5 V
زمن الوصول CAS 13 Programmable (e.g., 13, 14)
tRCD 20 ns —
tRP 20 ns —
Burst Length 8 8, 4 (with burst chop)
العلبة 96-FBGA (8x14mm) 96-ball TFBGA
درجة حرارة التشغيل 0°C to +95°C —
نوع التركيب Surface Mount —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Density — 4 Gb
التنظيم — 256M x 16
Number of Terminals — 96
نطاق درجة حرارة التشغيل — 0°C to +95°C (commercial/industrial)
Number of Banks — 8
Refresh — Auto and self refresh
RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر