MT41K256M16TW-107 vs K4B4G1646D-BCNB0 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT41K256M16TW-107 بواسطة Micron Technology و K4B4G1646D-BCNB0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MT41K256M16TW-107 | K4B4G1646D-BCNB0 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | $14.10 | — |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | — |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| الواجهة | Parallel | DDR3L SDRAM |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| جهد التغذية | 1.35 V | 1.35 V (DDR3L) |
| عرض ناقل البيانات | 16 bit | — |
| العلبة | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 85°C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| معدل البيانات | — | 2133 Mbps/pin |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| زمن الوصول CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh rate] |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| Die | — | D-die |