MT41K256M16TW-107 vs K4B4G1646D-BCNB0 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma MT41K256M16TW-107 tarafından Micron Technology ve K4B4G1646D-BCNB0 tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | MT41K256M16TW-107 | K4B4G1646D-BCNB0 |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | $14,10 | — |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | — |
| Bellek Boyutu | 4 Gbit | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Arayüz | Parallel | DDR3L SDRAM |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Besleme Gerilimi | 1.35 V | 1.35 V (DDR3L) |
| Veri Bus Genişliği | 16 bit | — |
| Paket | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 85°C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Veri Hızı | — | 2133 Mbps/pin |
| Lead-Free | — | Yes |
| Klorürsüz | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| CAS Gecikme | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh rate] |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Die | — | D-die |