MT41K256M16TW-107 vs K4B4G1646D-BCNB0 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT41K256M16TW-107 নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4B4G1646D-BCNB0 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCNB0 - 4Gb DDR3L SDRAM 2133Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BCNB0 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | MT41K256M16TW-107 | K4B4G1646D-BCNB0 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $14.10 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | — |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| ইন্টারফেস | Parallel | DDR3L SDRAM |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V | 1.35 V (DDR3L) |
| ডেটা বাস প্রস্থ | 16 bit | — |
| প্যাকেজ | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 85°C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ডেটা রেট | — | 2133 Mbps/pin |
| Lead-Free | — | Yes |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh rate] |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |
| Die | — | D-die |