MT41K256M16TW-107 vs K4B4G1646D-BCNB0 Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng MT41K256M16TW-107 sa pamamagitan ng Micron Technology at K4B4G1646D-BCNB0 sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCNB0 - 4Gb DDR3L SDRAM 2133Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BCNB0 ✓ NakahandaPagsanggunian na paghahambing
| Parametro | MT41K256M16TW-107 | K4B4G1646D-BCNB0 |
|---|---|---|
| Brand | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | $14.10 | — |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | — |
| Laki ng Memory | 4 Gbit | — |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel | DDR3L SDRAM |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V | 1.35 V (DDR3L) |
| Width ng Data Bus | 16 bit | — |
| Packhaging | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 85°C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Tindminan RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Level ng MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Rate ng Data | — | 2133 Mbps/pin |
| Lead-Free | — | Yes |
| Wala sa Halogen | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Latensya ng CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh rate] |
| Bilang ng Pins | — | 96 |
| Die | — | D-die |