MT41K256M16TW-107 vs K4B4G1646D-BCNB0 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MT41K256M16TW-107 بذریعہ Micron Technology اور K4B4G1646D-BCNB0 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | MT41K256M16TW-107 | K4B4G1646D-BCNB0 |
|---|---|---|
| برانڈ | Micron Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $14.10 | — |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | — |
| میموری سائز | 4 Gbit | — |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| انٹرفیس | Parallel | DDR3L SDRAM |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35 V | 1.35 V (DDR3L) |
| ڈیٹا بس چوڑائی | 16 bit | — |
| پیکیج | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 85°C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| ڈیٹا ریٹ | — | 2133 Mbps/pin |
| Lead-Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh rate] |
| پنز کی تعداد | — | 96 |
| Die | — | D-die |