ULN2003ADR vs TBD62503AFNG مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ULN2003ADR بواسطة Texas Instruments و TBD62503AFNG بواسطة Toshiba. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ULN2003ADR | TBD62503AFNG |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Texas Instruments | Toshiba |
| الفئة | Transistors | Power MOSFET Drivers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | 7 NPN Darlington Array | — |
| Number of Channels | 7 | 7 |
| Collector Current (Single Output, Max) | 500 mA | — |
| Collector-Emitter Voltage (Max) | 50 V | — |
| Output Breakdown Voltage (Min) | 50 V | — |
| Input Type | Logic-level compatible (TTL/CMOS) | — |
| Series Base Resistor | 2.7 kOhm | — |
| تكوين الخرج | Open-collector, common emitter | — |
| Clamp Diodes | Integrated common-cathode flyback diodes | — |
| DC Input Voltage (Min) | [DATA_NEEDED: minimum input logic-high voltage] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 C to +70 C | -40 C to +85 C |
| العلبة | SOIC-16 (D) | SSOP-16 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per distributor listings) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Channel Type | — | Sink-type (low-side switch) |
| Output Device | — | N-channel DMOS open-drain |
| Maximum Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 50 V |
| Continuous Output Current (per channel) | — | 300 mA |
| Peak Output Current | — | 500 mA |
| Maximum Clamping Diode Voltage | — | 50 V |
| Logic Input Compatibility | — | 3V CMOS / TTL |
| On-Resistance (Ron) | — | [DATA_NEEDED: typical Ron at specified Vgs] |
| Input Voltage (Vin) | — | 0 V to 30 V (gate drive, low-voltage logic supply) |
| Process Technology | — | Toshiba BiCD (Bipolar + CMOS + DMOS) monolithic |