ULN2003ADR vs TBD62503AFNG مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ULN2003ADR توسط Texas Instruments و TBD62503AFNG توسط Toshiba. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ULN2003ADR | TBD62503AFNG |
|---|---|---|
| برند | Texas Instruments | Toshiba |
| دسته‌بندی | Transistors | Power MOSFET Drivers |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | 7 NPN Darlington Array | — |
| Number of Channels | 7 | 7 |
| Collector Current (Single Output, Max) | 500 mA | — |
| Collector-Emitter Voltage (Max) | 50 V | — |
| Output Breakdown Voltage (Min) | 50 V | — |
| Input Type | Logic-level compatible (TTL/CMOS) | — |
| Series Base Resistor | 2.7 kOhm | — |
| پیکربندی خروجی | Open-collector, common emitter | — |
| Clamp Diodes | Integrated common-cathode flyback diodes | — |
| DC Input Voltage (Min) | [DATA_NEEDED: minimum input logic-high voltage] | — |
| محدوده دمای کاری | -40 C to +70 C | -40 C to +85 C |
| بسته‌بندی | SOIC-16 (D) | SSOP-16 |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| سطح MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant (per distributor listings) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Channel Type | — | Sink-type (low-side switch) |
| Output Device | — | N-channel DMOS open-drain |
| Maximum Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 50 V |
| Continuous Output Current (per channel) | — | 300 mA |
| Peak Output Current | — | 500 mA |
| Maximum Clamping Diode Voltage | — | 50 V |
| Logic Input Compatibility | — | 3V CMOS / TTL |
| On-Resistance (Ron) | — | [DATA_NEEDED: typical Ron at specified Vgs] |
| Input Voltage (Vin) | — | 0 V to 30 V (gate drive, low-voltage logic supply) |
| Process Technology | — | Toshiba BiCD (Bipolar + CMOS + DMOS) monolithic |