ULN2003ADR vs TBD62503AFNG موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ULN2003ADR بذریعہ Texas Instruments اور TBD62503AFNG بذریعہ Toshiba. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Texas Instruments
ULN2003ADR ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR - 50V 500mA 7-ch Darlington Array SOIC-16 | TI

ULN2003ADR ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر ULN2003ADR TBD62503AFNG
برانڈ Texas Instruments Toshiba
زمرہ Transistors Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم 7 NPN Darlington Array —
Number of Channels 7 7
Collector Current (Single Output, Max) 500 mA —
Collector-Emitter Voltage (Max) 50 V —
Output Breakdown Voltage (Min) 50 V —
Input Type Logic-level compatible (TTL/CMOS) —
Series Base Resistor 2.7 kOhm —
آؤٹ پٹ کنفیگریشن Open-collector, common emitter —
Clamp Diodes Integrated common-cathode flyback diodes —
DC Input Voltage (Min) [DATA_NEEDED: minimum input logic-high voltage] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 C to +70 C -40 C to +85 C
پیکیج SOIC-16 (D) SSOP-16
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per distributor listings)
Lead-Free Yes —
Channel Type — Sink-type (low-side switch)
Output Device — N-channel DMOS open-drain
Maximum Drain-Source Voltage (Vdss) — 50 V
Continuous Output Current (per channel) — 300 mA
Peak Output Current — 500 mA
Maximum Clamping Diode Voltage — 50 V
Logic Input Compatibility — 3V CMOS / TTL
On-Resistance (Ron) — [DATA_NEEDED: typical Ron at specified Vgs]
Input Voltage (Vin) — 0 V to 30 V (gate drive, low-voltage logic supply)
Process Technology — Toshiba BiCD (Bipolar + CMOS + DMOS) monolithic

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں