1ED3122MC12HXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা 1ED3122MC12HXUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও 1EDN7116GXTMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
1EDN7116GXTMA1 - 200V Single-Channel GaN Gate Driver IC | Infineon
1EDN7116GXTMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | 1ED3122MC12HXUMA1 | 1EDN7116GXTMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Product Type | Isolated Gate Driver (single-channel) | — |
| Isolation Technology | Coreless Transformer (CT) | — |
| Isolation Voltage (Vrms) | 5.7 kVrms | — |
| Maximum Transient Isolation (Vpk) | 8 kVpk | — |
| Output Current (source / sink) | 10 A / 9 A | — |
| Configuration | High-side, non-inverting | — |
| Number of Channels | 1 | — |
| Supply Voltage (VCC / VBS) | 8 V to 35 V | — |
| Propagation Delay (typ.) | 30 ns | — |
| Rise Time / Fall Time (typ.) | 15 ns / 30 ns | — |
| Miller Clamp | Active (integrated) | Integrated, active |
| Short-Circuit Clamping | Yes | — |
| UVLO | Primary and secondary side | Yes (VCC and gate-rail monitored) |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40 C to +125 C | — |
| প্যাকেজ | PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | 2 | MSL3 |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| ফাংশন | — | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs |
| Driver Configuration | — | Non-inverting, single low-side |
| Number of Drivers | — | 1 |
| Peak Source Current | — | 2 A (typ) |
| Peak Sink Current | — | 4 A (typ) |
| Input Type | — | Truly Differential Input (TDI) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 4.5 V to 5.5 V |
| Switch-Node Blocking Voltage | — | 200 V (max) |
| Propagation Delay (Typ) | — | 9 ns |
| Rise Time (Typ) | — | 3 ns |
| Fall Time (Typ) | — | 3 ns |
| Quiescent Current (Typ) | — | 0.6 mA |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -40 °C to +125 °C |
| Target Switch Technology | — | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET |