1ED3122MC12HXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना 1ED3122MC12HXUMA1 द्वारा Infineon और 1EDN7116GXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
1ED3122MC12HXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
1EDN7116GXTMA1 1EDN7116GXTMA1 - 200V Single-Channel GaN Gate Driver IC | Infineon

1EDN7116GXTMA1 - 200V Single-Channel GaN Gate Driver IC | Infineon

1EDN7116GXTMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर 1ED3122MC12HXUMA1 1EDN7116GXTMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) —
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 —
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) Integrated, active
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side Yes (VCC and gate-rail monitored)
ऑपरेटिंग तापमान -40 C to +125 C —
पैकेज PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर 2 MSL3
RoHS स्थिति Compliant Compliant
फ़ंक्शन — Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Peak Source Current — 2 A (typ)
Peak Sink Current — 4 A (typ)
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40 °C to +125 °C
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध