1ED3122MC12HXUMA1 vs 1EDN7116GXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1ED3122MC12HXUMA1 بذریعہ Infineon اور 1EDN7116GXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
1ED3122MC12HXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 - 10A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3122MC12HXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1ED3122MC12HXUMA1 1EDN7116GXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Product Type Isolated Gate Driver (single-channel) —
Isolation Technology Coreless Transformer (CT) —
Isolation Voltage (Vrms) 5.7 kVrms —
Maximum Transient Isolation (Vpk) 8 kVpk —
Output Current (source / sink) 10 A / 9 A —
Configuration High-side, non-inverting —
Number of Channels 1 —
Supply Voltage (VCC / VBS) 8 V to 35 V —
Propagation Delay (typ.) 30 ns —
Rise Time / Fall Time (typ.) 15 ns / 30 ns —
Miller Clamp Active (integrated) Integrated, active
Short-Circuit Clamping Yes —
UVLO Primary and secondary side Yes (VCC and gate-rail monitored)
آپریٹنگ درجہ حرارت -40 C to +125 C —
پیکیج PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 2 MSL3
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
فنکشن — Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs
Driver Configuration — Non-inverting, single low-side
Number of Drivers — 1
Peak Source Current — 2 A (typ)
Peak Sink Current — 4 A (typ)
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Switch-Node Blocking Voltage — 200 V (max)
Propagation Delay (Typ) — 9 ns
Rise Time (Typ) — 3 ns
Fall Time (Typ) — 3 ns
Quiescent Current (Typ) — 0.6 mA
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -40 °C to +125 °C
Target Switch Technology — GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں